这几年来，铜导线（copper interconnects）及低介电常数材质（low-k dielectrics）等进展，为晶体管的交互连接带来了更低的内部电阻和更佳的绝缘效果。
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据称,英特尔的45纳米工艺被命名为P1266,集成了铜互连(copper interconnects)、低K介电系数、应变硅(strained silicon)和技术特性。
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The thermal stress distribution in copper interconnects has been simulated by the finite element analysis software with the different trench structures.
利用计算机模拟了温度场变化引起的铜互连线中热应力分布。 模拟结果显示在铜互连线中存在较大的应力并且铜互连线沟槽结构的变化对热应力的分布有影响。
参考来源 - ULSI铜互连线微观结构和应力研究Thermo-elastic stress is a very important factor that influences the reliability of Copper interconnects.
热应力是影响铜互连结构可靠性的一个重要方面。
参考来源 - Air·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
It will also use copper interconnects, low-k, strain silicon and other features. Like 32-nm, Intel will make use of 193-nm immersion lithography.
这款产品将使用Intel第三代HKMG工艺，第五代硅应变技术，另外与32nm类似，22nm制程仍将继续使用193nm液浸式光刻技术。
The technology will be based on a planar process with enhanced high-K metal gate (HKMG), novel strained silicon, and low-resistance copper ultra-low-K interconnects.
该技术将基于一个具有增强的高- k金属闸（HKMG平面工艺），新型应变硅，低电阻铜超低K互连。
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