爆发模式中,当在读取周期时, 由系统给予第一笔资料位址 , SDRAM内建之位址产生器(Column Address Generator)将自动产生下一笔资料的位址, 所以系统可连续读取数笔资料并提高读取速度 .
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column address generator
列地址发生器
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