ion-chamber detector 电离室型探测器
ion etching chamber 离子蚀刻室
ion collection chamber 离子收集室 ; 离子收集腔
long ion chamber 长电离室
gamma compensated ion chamber 补偿电离室
ion pulse chamber 离子脉冲电离室 ; 离子脉冲腔
parallel-plate ion chamber 平行板电离箱
pocket ion chamber 袖珍电离室 ; 袖珍离子腔
in-core ion chamber 核心离子腔
pulse counting ion chamber 脉冲计数离子腔
A target chamber for ion implantation and in-situ electrical measurement at temperatures variable between 77-800k is presented.
本文介绍了一个在77 - 800k范围可变温度下进行离子注入和就地电学测量的靶室。
A transverse field gas ionization chamber for particle identification at the Radioactive ion Beam Line in Lanzhou (RIBLL) is described.
描述了一种将用于兰州放射性束流线较重离子鉴别的多阳极横向场电离室。
The influence of chamber pressure, gas flow rate and RF power on micro loading effect in reactive ion etch of silicon dioxide is researched.
对二氧化硅反应离子刻蚀中反应室压力，刻蚀气体流量和射频功率等因素对刻蚀速率和刻蚀均匀性的影响进行了研究。
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