...（R2）的另一端和所述第二NMOS晶体管（M2）的源极相连，并接二极管（D1）的阳极；所述二极管（D1）的阴极接所述外接电容（Cext）的正极；所述外接电容（Cext）的负极接地。
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位为-3dB以降低假的磁场干扰例如放大器反馈回路内的一个120皮法的电容器(Cext)可将带 宽限定为约1kHz应认识到较大的电容值会降低放大器的响应速度因此为了得到稳定的测量
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[0095] 而其中，上述电容值(Cext) 是为代表电容(21) 的电容值； [0096] 上述电阻值(Rext) 是为代表电阻(22) 的电阻值；
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