HgCdTe晶体结构生长在碲化镉锌（CdZnTe）衬底上，因为两者的晶格间距几乎完全相同。当探测器层与CMOS读出电路集成在一起时，衬底位于这一混合结构的顶端并且面向入射光的...
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CdZnTe detector 碲锌镉半导体探测器
CdZnTe wafer CdZnTe晶片
CdZnTe晶片 CdZnTe wafer
CdZnTe crystal CdZnTe晶体
CdZnTe substrate CdZnTe衬底
CdZnTe annealing CdZnTe热处理
P-CdZnTe crystal P型CdZnTe晶体
CdZnTe semiconductor CdZnTe半导体
Therefore, CdZnTe crystal with low dislocation density can be obtained by employing and adjusting appropriate crucible moving rate during the crystal growth.
因此，通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。
The influences of the sputtering power on deposition rate, film structure, and contact performance of the film prepared on CdZnTe substrate have been investigated.
系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触性能的影响。
Up-to-the-art developments of spectroscopic techniques are reviewed, including digital spectrometer, CdZnTe detector, new spectrum analysis methods and new spectrometer system design techniques.
从数字化谱仪、碲锌镉探测器应用、能谱分析新方法和谱仪系统设计新技术等方面综述了近年来国内外谱仪技术的研究及进展。
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