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equilibrium carrier density 平衡载流子密度
intrinsic carrier density 本征载流子密度
majority carrier density 多数载子密度
charge carrier density gradient 电荷载流子密度梯度
injected carrier density 注入载流子密度
excess carrier density 过剩载流子密度
sheet carrier density 载流子面密度
threshold carrier density 阈值载流子密度
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The differential gain coefficient decreases with increased sheet carrier density.
微分增益系数随薄层载流子密度的增加而降低。
Analyzing the carrier density and photon density of VCL in active region, the physical mechanism of gain clamping was revealed.
分析有源区内载流子和VCL光子密度的变化，揭示了增益钳制的物理机理。
In this paper, the condition under which the surface excess minority carrier density may be treated as a constant is also analysed.
在文中，我们也分析了可以把表面非平衡少子浓度作常数处理的条件。
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