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capping oxide detail 覆盖氧化物
capping g oxide 覆盖氧化物
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It shows severe hump without capping silicon nitride layer due to moisture diffusion during thermal anneal after inter layer oxide deposition by LPCVD.
它表明没有覆盖硅氮化层的严重驼峰取决于经过LPCVD的内部涂层氧化沉淀后化学处理期间的湿度扩散。
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