” ARK耗尽型高压功率MOSFET系列 公司系列产品的规格如下：漏-源 击穿电压 ( BVDSS )：550V/600V关断电压(VGS(OFF))：-3V±0.4V导通电阻(RDS(ON))：2Ω~1000Ω漏-源饱和电流：取决于封装形式封装形式：SOT-23, TO-9...
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BVDSS（漏源击穿电压）的含义虽然与VDSS略有差异，但是在数值上一般是相同的。
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峰值漏极电压在265VAC输时髦可以节制在550V之下，对700V耐压(BVDss)的MOSFET管来讲有很是大的裕量。
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初级开关和次级开关的漏极-源极击穿电压(BVDSS)均须大于输入电压与输出电压之和（见图5）。
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