... buried layer 隐埋层 buried oxide 隐埋氧化物 buried oxide isolation process 隐埋氧化物间断中断工艺 ...
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用薄膜转移技术连接衬底和器件结构用薄膜转移技术连接衬底和器件结构绝缘体上外延硅（SOI）是用埋层二氧化硅（buried oxide, BOX）分隔有源的顶层硅和下层的承载硅片的工程衬底的第一个例子。它能满足主流MOSFET的性能要求。
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buried oxide isolation process 隐埋氧化物隔离工艺
step buried oxide soi 阶梯埋氧型soi
double step buried oxide SOI 双面阶梯埋氧SOI
Step Buried Oxide fixed Charge 埋氧层固定电荷结构
buried-oxide layer 的薄埋氧化物层
buried oxide VDMOS 部分埋氧结构纵向扩散金属氧化物半导体
partial buried oxide 部分埋氧
The 2-D potential model of partial buried oxide VDMOS is obtained in paper.
提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。
The quality of SOI wafer mainly depends on the structure of Top-Si as well as BOX (Buried Oxide).
SOI材料的质量很大程度上取决于顶层硅及埋层的结构。
A novel structure with a double step buried oxide SOI (D-SBOSOI) is developed on the basis of single step buried oxide structure.
在单面阶梯埋氧型soi结构的基础上，提出了一种双面阶梯埋氧soi新结构。
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