...点，都大力投入各种新技术的研究，以FinFET为例，除了英特尔，台积电也长久投入研发，而且也打算自14nm起从基于块状硅(bulk CMOS)的平面工艺正式转向FinFET。因此，现在要下定论谁赢谁输，都还为之过早。
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纯互补金属氧化物半导体(Bulk CMOS)是有史以来设计射频芯片所能采用的成本最低的半导体工艺。经优化的 RFX241能够在2.4GHz的频率范围内为IEEE 802.11b/g/n应用提供发...
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bulk cmos process 体效应互补金属氧化物半导体工艺
bulk-si cmos devices 体硅cmos器件
bulk-silicon cmos 体硅cmos
bulk silicon cmos 体硅cmos
bulk-si cmos device 体硅cmos器件
al-gate bulk si cmos ic 铝栅体硅cmos电路
Samsung Electronics Co. Ltd., one of the members of IBM's "fab club" or technology alliance, recently rolled out its 20-nm process, which is based on bulk CMOS.
而IBM芯片制造技术联盟中的另一个重要成员三星则最近公布了其20nm制程技术的有关消息，这种制程技术也是基于平面型体硅CMOS。
Compared with bulk micromachining, the surface micromachining has the advantages of low manufacturing cost and easy integration with CMOS circuits.
在加工工艺方面，与体微机械加工相比表面微机械加工具有工艺简单，容易与CMOS电路集成等优点。
CMOS bandgap voltage reference with low voltage based on the bulk driven technology is designed in this paper, with circuit to improve PSRR and start-up circuit.
通过对低压低功耗集成电路设计技术的分析，着重设计了一个基于衬底驱动技术的CMOS带隙基准电压源，其带有提高电源抑制比电路和启动电路。
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