比如，256KTI芯片中的基本单元电路结构如图4，其中晶体管7和8是一种体接源漏（Body Tied to Source andDrain，BTSD）结构的P沟MOS管，这种晶体管能够提供大约10kfl的电阻和7．8fF的Miller电容，对单元写入...
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