...极管的反向击穿电压,一般情况下由集 电极的雪崩击穿电压决定,但在掺杂较高的二极管中,直接隧穿(bandtoband tunneling,BTBT)效应是一个重要因素。在硅基器件中,这一现象得到较为充分的 研究。
基于1个网页-相关网页
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动