...oM中，数据电荷从FG向CG（通过ONO）中的泄漏由 以下几个步骤构成，电荷由浮栅向控制栅泄漏，其间经过底部氧化层（Bottom Oxide），氮化层（si3N4），再到顶部氧化层（TopOxide），每一个步骤中又由不同 的机制控制，所以在针对具有新材料、新结构的EEPROM进行...
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Production speed too slow, the bottom again, such as nickel oxide layer in gold slot oxidation (or gold reduction), peel tin.
产速太慢，底层再次氧化，如镍层在金槽氧化(或金还原)，剥锡。
Top is columniform structure, and bottom is coniform structure. With covering small area and storing large capacity of lead oxide, it can realize lead oxide first in and out.
粉仓上部为圆柱形下部为圆锥形结构，储粉量大、占地面积小，能实现铅粉先进先出。
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