...n Moore），即从Geometrical Scaling 转向Functional Scaling，着眼于一块芯片集成尽可能多的功能；三是超越CMOS（Beyond CMOS），即探索非CMOS的新原理、新器件，如碳基纳米器件、自旋电子、单电子、量子、分子器件等。
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beyond cmos
除了互补金属氧化物半导体
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However, as the design rule continuously shrank down beyond the 45 nm, conventional planar CMOS devices encounter significant challenges.
不过，当设计规章向45奈米以下持续缩小时，传统的平面的电晶体将遇到很多显著的挑战。
youdao
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