Two types of CMOS bandgap reference circuits are presented in this paper.
文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。
参考来源 - 两种新型CMOS带隙基准电路The variation in the output voltage of the bandgap reference is 0.4m V when power supply changes from 4V to 6V.
当电源电压变化范围为4 ～6 V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4 mV。
参考来源 - 一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文)It using two parasitic PNP BJTs in CMOS process creats reference voltage independent of temperature and power supply by op amp feedback. The simulation of the bandgap reference using ideal resistents shows that It’s precision is 16.6 ppm.
带隙基准电路为整个系统提供基准电平,它使用两个在CMOS工艺中寄生的PNP型的双极性晶体管,通过运算放大器的反馈实现独立于温度和电压的带隙基准电压,在使用理想电阻的情况下仿真,其精度达到16.6ppm。
参考来源 - CMOS图像传感器系统设计·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
A novel exponential curvature-compensated bandgap reference circuit is presented.
提出了一种新型的指数曲率补偿带隙基准源电路。
Therefore, we get the bandgap reference voltage with very small temperature coefficient.
由此得到温度系数很小的带隙基准电压。
Low power, low voltage and high PSRR are the main challenges in designing bandgap reference for switching regulator.
微功耗、低工作电压、高电源抑制比是在电源芯片中的基准源设计过程中遇到的主要挑战。
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