本发明涉及一种高亮度发光二极管结构，利用一由n型磷化铝铟(AlInP)所形成高掺杂的岛状结构层，形成于该磷化铝镓铟 (AlGaInP)半导体叠层结构部分表面用以形成电流阻隔，该岛状结构层被该p型窗口层所...
基于20个网页-相关网页
本论文中我们以有机金属化学气相磊晶(MOCVD)法莱成长磷化铟铝(AlInP),磷化铟价(..
基于12个网页-相关网页
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动