关键技术为：在铟磷(InP) 衬底上制作吸收型光栅；采用窄条选择外延生长技术自动生成铝铟镓砷(AlInGaAs)应变补偿多量子阱窄条台形有源区，并用铟磷(InP)将该台面包覆起来；台形有源区形成后，大面积生长p 型铟磷(InP)盖层和P型铟镓铟砷...
基于20个网页-相关网页
针对此研究 方向,我们应用砷化铝铟镓(AlInGaAs)材料作为雷射 的发光层,由于它具有相当大的传导带能阶差,因此 它能有效的抑制电子于高温时溢流现象的发生,所 以利用这样的材料来...
基于16个网页-相关网页
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
应用推荐