自从上世纪90年代，国外相继开发出四元系（AlGaInP）的红、橙、 黄光和氮化镓（GaN）基的蓝、绿、紫外光的高亮度发光二极管（High Bri曲tnessLightEmittingDiode简称HB—LED），为LE...
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...，包括：透明基板，其是由包含砷化铝镓(AlxGa1-xAs)的材料所形成；发光层，其是生长于该透明基板上，且由包含磷化铝镓铟(AlGaInP)的材料所形成；窗层，其是生长于该发光层上，且由包含GaP的材料所形成；上电极层，其是与该窗层形成欧姆接触；以及下电极层，其是...
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欢迎访问《半导体学报》网站！ 关键词: 铝镓铟磷，发光二极管，金属键合，表面粗化[gap=919]Keywords: AlGaInP, light-emitting diodes (LEDs), metal bonding, surface roughening.
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AlGaInP red chip 四元红光芯片
AlGaInP yellow chip 四元黄光芯片
AlGaInP yellow-green chip 四元黄绿光芯片
AlGaInP wafer 发光二极管
p-type AlGaInP p型铝镓铟磷
AlGaInP visible lasers AlGaInP可见光激光器
ALGAINP EPI WAFER and CHIPS 磷化铝镓铟磊晶片与晶粒
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