此种技术早在2006年，就已开始研究，利用将砷化铝镓铟(AlGaInAs)做成量子井(Quantum Well)，激光接合硅波导，形成发光波长在1,770奈米(nm)及发光功率在1.8毫瓦(mW)的混成激光，但是发光效率只有...
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新的 DFB-LD 包含一个铝镓砷化铟（AlGaInAs）活性层，提供 10mW的输出功率（峰值光发射波长1270nm），尽管目前在高温条件
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...司自成立以来，产物从最初的磷化镓（GaP）LED两元芯片成长到现正在的LED砷化镓（GaAs）、镓铝砷（GaAlAs）、铝镓铟砷（AlGaInAs）和氮化镓（GaN）芯片，涵盖了LED芯片的全数波长，成为国内LED芯片系列最全的造造商；产能同样成长到每个月1000KK，是国内LED芯片...
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