本项目实验上，选取高Z金属铅（Pb）作为单元素靶，选取氮化镓（GaN）、碲镉汞（HgCdTe）作为复合材料靶，利用双脉冲激光诱导固体靶产生激光等离子体，采用高精度时间空间分辨测量技术探测等离子体发射谱，通过对发射谱...
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据报道，砷化镓(GaAs)可做为一类潜正在的焦平面阵列读出手艺，其缘由是：GaAs的热膨缩系数取碲镉汞探测器(HgCdTe)的婚配要比硅好得多，那样便无可能靠得住地制备大型夹杂焦平面阵列；GaAs手艺的辐射软度比硅好得多；n型GaAs器件的施从能级比硅更...
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HgCdTe photoconductor 碲镉汞光电导体
HgCdTe MCT camera 红外相机
PV-type HgCdTe detector PV型HgCdTe探测器
P HgCdTe P型HgCdTe
HgCdTe film 碲镉汞薄膜
hgcdte diode 光伏器件
HgCdTe alloy HgCdTe半导体
HgCdTe wafer HgCdTe晶片
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Fabrication of mercury cadmium telluride (HgCdTe) devices has always been a challenging task due to sensitive nature of the material.
由于材料性质比较敏感，碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的任务。
While in HgCdTe with high dislocation density, the arsenic distribution is complex, exhibiting multi component exponential distribution.
而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中，砷的分布呈多段指数型分布，表现出更复杂的多机制扩散特性。
The study of the infrared focal plane array based on the narrow gap semiconductors HgCdTe is a hot topic in the field of advanced infrared optoelectronics.
窄禁带半导体碲镉汞红外焦平面列阵研究是当代红外光电子技术的前沿。
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