... tunneling electron 隧道电子 tunneling jump 隧道结 Tunneling 管道传送，隧道，管道传输 ...
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...以及底电极的阶梯区域，将中心的底电极部分和周围的底电极部分相互连接，以使中心部分的上表面相对于周围部分的上表面凹陷。根据本专利技术的一个实施例，还包括：磁隧道结(MTJ)，具有设置在中心的底电极部分上方和阶梯区域之间的MTJ外侧壁；以及顶电极，设置在MTJ的上表面上方。
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High power semiconductor lasers; GaAs tunnel junction; absorptioncoefficient; free carrier absorption; heavily doping and lasing mode.
大功率半导体激光器、GaAs隧道结、吸收系数、自由载流子吸收、重掺 杂、激光模式。
参考来源 - 遂道结吸收损耗及其对新型大功率激光器特性影响的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
为提高磁隧道结磁电阻性能提供了新的尝试。
It offers a new try for developing the performance of the magnetic tunneling junctions.
制作磁隧道结的通用材料有二氧化铬和铁钴合金。
Common materials for the MTJ include chromium dioxide and iron-cobalt alloys.
本文考虑了各项隧道电流，以一个相位锁定环路模拟约瑟夫逊隧道结。
An electronic analog model to simulate the properties of Josephson tunnel junction is described in this paper.
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