...磁性金属层和绝缘层交替形成的多层膜结构中磁性隧道效应的深入研究，由此获得的巨大的隧穿磁电阻（tunneling magnetoresistance, TMR）效应已在基础研究和信息 存储技术领域取得重要进展．基于TMR效应的磁性随机存储器已经商业化，虽然人们...
基于28个网页-相关网页
La_(1-x)Sr_xMnO_3先进材料的复合制备及微加工研究--《2004年中国材料研讨会论文摘要集》2004年 100%,根据Julliere模型,对一个具有铁磁性金属/绝缘体/铁磁性金属三明治结构的磁性隧道结,其隧穿磁电阻(Tunnel Magnetoresistance,TMR)可以表示为TMR=(RAP-RP)/RP=2 P1P2/(1-P1P2),其中RAP和RP分别为两铁
基于4个网页-相关网页
Due to the Dresselhaus spin-orbit coupling effect,the tunneling magnetoresistance inversion occurs when the energy of a localized state in the barrier matches the Fermi energy E_f of the ferromagnetic electrodes.
在考虑了Dresselhaus自旋-轨道耦合相互作用的情况下,我们可以清楚的看到隧穿磁电阻的倒置发生在势垒中局域态的能级和铁磁电极中的费米能级E_f相匹配的位置。
参考来源 - 双隧道结中极化率和隧穿磁电阻的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
应用推荐