对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究.XRD测量结果表明非晶硅在500 ℃退火1 h后就已经全部晶化.金属诱导晶化的.
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