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基于电子在固体中能谷间转移而制成的器件。只有在导带中存在多个能谷 转移电子器件曲线、电子在各能谷中的行为特性各异,以及在一定外部条件下发生显著的电子转移的固体材料才能制作这类器件,砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)就属这种材料。
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