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本文介绍用四探针技术测量半导体薄层电阻的新方案。
A new method for measuring sheet resistance of semiconductor using four-point probe has been developed.
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薄层电阻的原理进行了综述，重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理，并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪，利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量，做出了样品的电阻率等值线图，为提高晶锭的质量提供了重要参考。
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