肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。 肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。
电极／有机层接触界面分为欧姆接触（Ohmiccontac）和肖特基接触（Schottky contacts），l H Campbelll20肄人认为，㈣AE＜0．4 eV时，电极，有机层为欧 5 2007年I：海人学博1二学位论文 姆接触，反之为肖特基接触。
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This thesis expatiates all the physics of the SiC ohmic contacts models, which have been developed by experiments, include metal-semiconductor schottky contact theory, Nn heterojunction and nn+ theory.
本文从金属半导体接触的实验过程入手,阐述了本文所建立的SiC欧姆接触模型所涉及到的半导体器件物理理论,包括金属半导体肖特基接触理论、Nn异质结理论和nn~+理论。
参考来源 - 碳化硅离子注入及欧姆接触研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应。
Considering the tunneling effect and the Schottky effect, the metal semiconductor contact is simulated by using self consistent ensemble Monte Carlo method.
在近表面单晶层上作成了性能良好的肖特基接触，其势垒高度约为0.7V。
On the near surface monocrystalline GaAs layer, a better Schottky contact with a barrier height of 0.7V has also been fabricated.
应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊，有明显的互扩散和反应发生．。
The AES suggests that the interaction between gate metallization and GaAs active layer has taken place and the Schottky contact interface becomes ambiguous after stressing.
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