肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。
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低功耗肖特基二极管 low power schottky diode
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饱和延迟肖特基二极管 saturation delay Schottky diode
肖特基势垒二极管 SBD ; [电子] Schottky Barrier Diode ; schottky diode ; Schottky Barrier Rectifiers
The characteristics at the metal/Si interface are similar to that of Schottky barrier diode. Thermionic emission and quantum tunneling are the main current conduction mechanism.
源漏区肖特基接触界面的特性和常规肖特基二极管相似，电流的输运主要以热电子发射和隧道效应为主。
参考来源 - 硅肖特基源漏MOSFET的模拟研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
串连电阻是制约肖特基二极管响应速度的一个关键因素。
Series resistance is an important factor confining the response speed of Schottky barrier diode.
为了满足高性能的红外探测要求，以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管。
To satisfy the requirement for high performance infrared detector, a selective epitaxy Schottky barrier diode of SiGe was realized based on high quality silicon device.
包括锗硅单层、多层结构的外延生长、以及金属诱导生长多晶锗硅和肖特基二极管原型器件的制备。
The research focused on the growth of SiGe single layer, multi-layers, metal induced growth of poly-SiGe, Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated.
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