We also have researched the influence of the structural parameters on the GMR effect and the modulation of the applied voltage applied to the Schottky metal stripe to the magnetoresistance ratio.
研究表明,该器件拥有显著的GMR效应且磁阻比率强烈的依赖于系统的结构参数以及加在肖特基金属上的电压。
参考来源 - 铁磁体—肖特基金属体—半导体复合纳米结构的巨磁阻效应·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
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