Magnetoresistive random access memory
原因即在于，工研院电子与光电研究所，从2002年以来即投入磁阻式随机存取记忆体(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)的研发。
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... VDMR8M32 MRAM 全球晶圆代工大厂投入MRAM研发 全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取记忆体(MRAM)作为嵌入式储存解决方案，可望改变下一代储存技术的游戏规则。
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