电子设计应用Intel对三栅极晶体管和CDO低k材料的展望 gy Conference, IITC）上,Intel介绍了他们为90nm级的下一代器件内连线技术。他们将使用掺碳的氧化物（carbon-doped oxide,CDO）作为低k材料的选用材料。Intel的研究人员指出,目前所有低k的ILD材料的各类机械强度包括模量、硬
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碳的氧化物、硫的氧化物、氮的氧化物和卤化物等是由人类的生产活动和社会活动产生的重要的环境污染物质。
Oxides of carbon, sulfur, nitrogen and halogens are serious environmental pollutants produced by the productive and social activities of humans.
催化剂可以分为两种：过渡金属双官能催化剂和过渡金属的碳氧化物催化剂。
The catalysts can divide into two kinds: the transition metal bifunctional catalysts and oxycarbide catalysts of transition metals.
离子和电子在负极相遇，和氧气结合从而形成填入碳层的锂氧化物。
The ions and electrons met at the cathode, and combined with the oxygen to form lithium oxide that filled the pores in the carbon.
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