碰撞离化【impact ionization】是指半导体中的自由载流子在强电场作用下加速到具有足够高的能量，在与晶格的相互作用中使另一个电子从价带跃迁到导带，从而产生新的电子－空穴对的过程。
气体离化团束的高溅射产额可能是由于多体碰撞、侧向溅射及高能量密度的照射引起的。
The higher sputtering yield would result from multiple collision, lateral sputtering and high density energy deposition of gas cluster ion beam.
气体离化团束优良的平坦化和清洁化效果可能与照射中多体碰撞、侧向溅射及高能量密度的沉积相关。
The unique smoothing and cleaning effects of gas cluster ion beam wou1d result from multiple collision, lateral sputtering and high density energy deposition.
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