聚硅氧化合物 Cyclopentasiloxane ; CYCLOHEXASILOXANE
聚硅氧化物 Cyclopentasiloxane
硅氧化物 SiOx ; oxide of silicon
局部硅氧化 LOCOS
硅氧化氮氧化硅 SONOS
硅氧化铬 Chromium silicon monoxide
聚硅氧化铝铁混凝剂 PSAFC
一氧化硅 [无化] silicon monoxide ; SiO ; Silicon oxide
二氧化硅 [无化] silica ; SiO ; silicon oxide
硅氧化物吸收峰 silicon oxide absorption peak
为形成了集成电路制造中使用的硅氧化层的方法提供。
A method for forming a silicon oxide layer for use in integrated circuit fabrication is provided.
提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。
A physical model of dielectric breakdown was presented in IC silicon dioxide films.
采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层。
The silicon oxide films on aluminum alloys matrix were prepared by chemical vapor deposition (CVD) in ambient pressure.
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