准/规范中文名: 砷化镓外延片 标准/规范英文名: Gallium arsenide epitaxy wafers 标准状态: 现行 原文语种: 中文 译文语种: 英文 原文页数: 11页 中文字数: 8041字 标准分类: 电子行业标准(SJ) 中标分类1:
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... 砷化物;arsenide 砷化物;arsenide 砷化镓外延片;GaAs epitaxial wafer ...
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砷化镓外延片
Gallium arsenide epitaxial wafer
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GaAs epitaxial wafer 在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。 工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
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