畴壁位移（domain wall displacement），在外磁场作用下，内部磁矩取向和磁场方向比较接近的磁畴的体积将增大，而磁矩取向和磁场方向夹角较大的磁畴体积将缩小。这一磁化过程相当于畴壁从未加磁场前的位置移到了一个新的位置，从而使材料的磁化强度有一定的增大量。这一过程称为畴壁位移。它是技术磁化过程的重要机理之一。
单晶材料消除了晶界对畴壁移动的影响，具有很好的低场下的位移输出能力，这为微位移致动器的研制奠定了很好的基础。
These excellent single crystals, possessing a large displacement output under low magnetic field, build a foundation for the fabrication of the high precision micro-displacement actuators.
这种氧化层使钢板产生应力场，阻碍磁畴壁的位移，因而使铁损增加。
The subsurface oxide layers generated stresses in the sheet and impeded domain wall motion, so that the iron loss was increased.
应用推荐