• electrical properties - 引用次数：26

  Influences of Al doping concentration and annealing temperatures on the structural, optical and electrical properties were investigated.

  基于这个研究构思,做了如下主要研究:1.详细研究了Al掺杂浓度和退火温度对ZnO薄膜结构、光学和电学性质的影响。

  参考来源 - 溶胶凝胶法制备ZnO基薄膜及离子注入研究
  electric properties - 引用次数：5

  The results show that the growth temperature can efficiently improve the structural, optical and electric properties of ZnO thin films, and the two-dimension growth mode at 650℃was obtained.

  结果表明,生长温度能够有效地改善ZnO 的结构、光学与电学性质,并且在生长温度为650℃下实现了ZnO 薄膜的二维生长。

  参考来源 - 高质量氧化锌薄膜和低维结构的制备及研究
  electrical property - 引用次数：4

  参考来源 - 半绝缘InP的深能级缺陷、电学补偿及电学性质的研究
  electronic property - 引用次数：2

  参考来源 - 压强及氮气对HFCVD硼掺杂金刚石膜的制备及性质影响
• electrical properties - 引用次数：20

  . The sheet hole concentration increases about 109/cm2 order of magnitude and the Hall mobility increases too. Te doping changes CdTe thin films into good p-type semiconductor and improves electrical properties of the films.

  ，面载流子浓度增大到109/cm2的数量级，迁移率亦增大到104cm2/v.s，掺杂Te元素改善了CdTe薄膜的电学性质，使其变为良好的p型半导体。

  参考来源 - 近距离升华（CSS）法制备CdTe薄膜及其性能研究
  electrical property - 引用次数：5

  参考来源 - 定量官能团化碳纳米管的制备及在催化加氢中的应用
  photoconductivity - 引用次数：1

  参考来源 - 单根一维纳米结构器件的构筑及其性质研究
  electric properties - 引用次数：1

  参考来源 - 银基功能梯度复合材料的电接触性能研究

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