在低速和高速情况下，分别得到了有效电荷数和电子阻止本领的解析表示式。
In the case of low and high velocities, the analytical expressions of the electronic stopping power and the effective charge are obtained, respectively.
应用量子散射理论和介电响应理论，研究了热等离子体对低速重离子的电子阻止本领。
The stopping power of thermal plasma to heavy ions with low velocity is studied by using quantum scattering theory and dielectric response theory.
给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述，引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。
The concepts of nuclear stopping power, electronic stopping power and average range were also introduced, the micrographs of unfilmed MCP and MCPs filmed with different thicknesses were shown.
电子阻止本领（Electron stopping power）是离子注入技术中的一个术语。 对半导体等衬底进行离子注入时，进入衬底中的较高能量的离子，与衬底中的原子核和电子都将进行一系列的碰撞而损失能量，并最后停留在衬底内，形成一定的分布。这实际上就表明衬底中的原子核和电子都对注入的离子具有阻止作用。其中电子阻止作用的能力大小可用S(E)=dE/dx来表征[E是电子在某点x处的能量]，这就是电子阻止本领。S(E)与入射离子的速度成正比，即有S(E)∝E。因此，对于注入能量越高的离子，电子阻止本领也就越大；注入离子的质量越小，电子阻止本领相对于原子核的阻止本领也将越强。
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