在半导体中，如果一个电子从满的价带激发到空的导带上去，则在价带内产生一个空穴，而在导带内产生一个电子，从而形成一个电子-空穴对。空穴带正电，电子带负电，它们受到库仑力而互相吸引，在一定的条件下会使它们在空间上束缚在一起，这样形成的复合体称为激子。激子作为一种准粒子，寿命很短，最终会消失。
Zinc oxide（ZnO）is an interesting wide band gap（3.3 eV at room temperature）Ⅱ-Ⅵsemiconductor material,which has a much larger exciton binding energy（60 mev）than GaN（～25 meV）and ZnSe（22 meV）.
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温宽带隙约为3.3 eV,它的激子束缚能高达60 meV,远大于GaN的25 meV和ZnSe的22 meV。
参考来源 - ZnO薄膜的制备及其特性研究Zinc Oxide (ZnO) is a wide band-gap semiconductor (3.37eV at room temperature) with the high exciton binding energy of 60 meV.
氧化锌是宽禁带(3.3ev)直接带隙n型半导体材料，并且具有较高的激子束缚能(60ev)。
参考来源 - ZnO荧光薄膜的制备与硫化研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
这是链间耦合对共轭聚合物中双激子的反向极化作用。
It's the effect of interchain coupling on the inversed polarization of a biexciton in conjugated polymers.
这些差异为区分两类激子提供了磁共振实验之外的判据。
The facts offered a criterion to distinguish the two kinds of excitons, besides magnetism resonance experiments.
这种设计是很重要的，因为，激子总是喜欢从高能量流向低能量的。
That's important because excitons like to flow from high to low energy.
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