...外壳： PG-TDSON-8 封装形式Package： TDSON 极性Polarity： N-CH 漏源极击穿电压VDSS： 20V 连续漏极电流ID： 19A 漏源电压（Vdss）： 20V 供应商器件封装： PG-TDSON-8 无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs...
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...NDS0605-NL场效应管产品参数及功能如下： FET 类型：P 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60V0.18A 电流 - 连续漏极（Id）（25° 时）：780mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V 不同 Id，Vgs ...
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基本参数： 名称:IRF1404 型晶体管:MOSFET 控制通道的类型:N-Channel 最大功耗晶体管(Pd):200W 最大漏源电压(Uds):40V 最大漏极电压门(Udg):40V 最高栅源电压(Ugs):?20V 最大漏电流的晶体管(Id):162A 最高结温IRF1404(Tj):150?
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... drain source circuit 漏源电路 drain source voltage 漏源电压 drain substrate capacitance 漏衬底电容 ...
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这里有两条理由可以解释800伏特漏源极电压波形的两个差异。
This can be explained by two major differences of the 800v drain-source voltage waveform.
就象漏源极电压的例子那样，用这种方法也可以找出漏极电流的哪一部分对电磁干扰频谱产生影响。
As in case of drain-source voltage this method allows to associate the elements of the drain current waveform with its contribution to the whole spectrum.
把这些原理按时序整合呈现出图16所示的典型漏源极电压。
The superposition of all these elements results in a typical drain-source voltage shown in Fig. 16.
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