...层上，结果造成浅掺杂外延层中存在极大的电场，载流子在高场作用下漂移渡越该浅掺杂层，故通常将其称作为漂移区（Drift Region），这是新型功率半导体器件所共有的一个特点。 漂移区决定了器件导通时的电压降、功率损耗以及器件的静态和动态特性。
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器件中包含了一个穿透大部分n漂移区（n-drift）的深沟道。一只绝缘的深源电极（insulated deep source electrode）借由一个厚氧化层与n漂移区隔离开来，它就是场板，并在阻塞（...
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给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜soi器件的设计原理和方法。
Principle and method for designing high voltage thin film SOI devices with linearly doped drift region are given.
以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。
The drift drain resistance model is derived from the free carrier concentration analyzing in the drift region.
该模型可用于薄外延阶梯掺杂和线性掺杂漂移区RESURF器件的设计优化。
This analysis model is available for the design of step drift doping profile RESURF device and linearly-graded drift RESURF device.
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