定义 中文名称： 本征硅 英文名称： intrinsic silicon 定义： 晶格完整且不含杂质的硅单晶，其中参与导电的电子和空穴数目相等。室温下本征硅的电阻率约为2.32105Ω·cm。 应用学科： 材料科学技术（一级学
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介绍典型单片式非本征硅红外焦平面阵列的结构及性能参数。
The structure and performance parameters of typical monolithic non-intrinsic silicon IR focal plane array are presented.
将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较。
Wafer pairs with bonding interface being native oxide or thermal oxide have different bonding behavior in the annealing process, which were investigated and compared.
本文对VHF PECVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。
The electrical and structural properties of microcrystalline silicon thin film and solar cells fabricated by VHF-PECVD were studied.
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