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有机金属气相外延

网络释义

  OMVPE

系统的研究比较增加了低压有机金属气相外延（OMVPE）使用三乙基铟，磷化氢和tertiarybutylphosphine的的源（TBP）的InP外延层的质量。

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  Metal organic vapor phase epitaxy

InGaAs/InP异质结界面层的应变研究 arsine,TBAs)和叔丁基磷(tertiarybulphosp hine,TBP )为源材料,用有机金属气相外延(metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格. 高精度X射线衍射的结果表明,在InG aA

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短语

用有机金属气相外延 MOVPE ; metal organic vapor phase epitaxy

金属有机物气相外延 MOVPE

金属有机气相外延 MOVPE ; Metal organic vapor phase epitaxy

有机金属化学气相外延 MOCVE

材料金属有机气相外延 Metal organic vapor phase epitaxy ; MOVPE

金属有机化学气相外延 Metal-organic Chemical Vapor Deposition ; MOCVD

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有道翻译

有机金属气相外延

Organometallic gas-phase epitaxy

以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。

双语例句

  • 首先优化设计了器件结构，并利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）进行了器件的外延生长。

    The device structure is optimized firstly, then the structure is grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).

    youdao

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