...的： 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于消除电镀层潜在的晶须生长（消除电镀层潜在的晶须生长（Whisker Growth）的问题条件：条件： 150+/-5C; 2Hrs；；目的： 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于）的问题;晶须晶须 EOL– Trim...
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自发的须状晶体生长 spontaneous whisker growth
Temperature field of the irradiation layer was established and analyzed, which could be used to research the temperature of whisker growth.4.
3.对激光照射材料得到的照射层进行温度分析,建立了温度场。 该温度场可用于指导研究晶须生长所需要的温度。
参考来源 - 激光照射下SiC纳米颗粒原位生成晶须的实现·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
在垂直于晶须生长方向上没有层错的存在。
There was no stacking fault in the direction perpendicular to the growth orientation.
与现有技术相比，本发明能有效地抑制晶须生长，并具有低成本和可靠性能。
As compared with the prior art, the invention can validly inhibit the whisker growth with low cost and reliable property.
并对晶须生长过程中所形成的各种晶体缺陷进行了分析，提出了解决办法。同时对羟基磷灰石晶须针状生长的结晶学和界面动力学机理进行了探讨。
The paper also analyzed the crystal defeat formed in the process of growth and put forward to the solution, furthermore, the mechanism of needle - like growth was discussed.
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