implant uniformity
掺杂均匀度
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本文提出的中子掺杂硅单晶旋转辐照模型，给出了热中子通量在硅断面上的分布．平均值和不均匀度。
The rotating irradiation model for ND silicon presented in this paper gives distribution, mean value and heterogeneity of the thermal flux on the cross section of silicon.
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