可以简单看作是个单探针电阻仪测得的电阻，一般是定义Ldd附近的电阻，电流扩散到一个更大面积时候的电阻。 针尖与半导体接触，通电时针尖周围形成球形电场，通过测量电流，电压计算出电阻R=v／I―P／4a，式中，R便是扩展电阻。测出扩展电阻就可得到该样品的电阻率，其换算需要考虑很多因素，如形状，压力大小，厚度等。
003 中文名称：扩展电阻英文名称：spreading resistance定义：半导体中微区电阻率分布。其值等于导电金属探针与半导体表面上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比。应用学科：材料科学技术（一级学科）；半导体材料（二级
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讨论了在检测半导体器件和集成电路芯片时，不同研磨倾斜角度对扩展电阻量值的影响。
The effects of choosing lapping bevel Angle during testing semiconductor devices and LSI chips by spreading resistance technique on measurement accuracy have been investigated in this paper.
本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析，从而用以开发新材料和评估材料的质量。
We use spreading Resistance technique to test and analyze silicon and silica base materials. This technique is more suitable to control material quality and develop new materials.
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