是在20世纪50年代提出并很快被应用到晶体制备技术中。在悬浮区熔法中,使圆柱形硅棒固定于垂直方向,用高频感应线圈在氩气气氛中加热,使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴,这两个棒朝相反方向旋转。然后将在多晶棒与籽晶间只靠表面张力形成的熔区沿棒长逐步向上移动,将其转换成单晶。
2011版半导体硅材料调研报告 - docin.com豆丁网 掺入适当杂质形成N 型和P 型半导体。 硅单晶的制备方法主要有直拉法(Czochralski,CZ)和悬浮区熔法(Float-Zone, FZ),获得的单晶硅分别称为直拉单晶硅和区熔单晶硅。直拉法适用于生产中低阻 无位错的硅单晶硅,主要用于制作
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一种是悬浮区熔法 Float Zone method ; FZ
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