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悬浮区熔法 [xuán fú qū róng fǎ]

网络释义专业释义

  float-zone method

2.1.2 悬浮区熔法(Float-zone method) 通常的区熔提纯都是把锭条放在盘( 或坩埚) 里使其中一段熔化形成熔区,再使

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  [冶] floating zone melting

悬浮区熔法(floating zone melting), 此释义来源于网络辞典。

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  float zone

2011版半导体硅材料调研报告 - docin.com豆丁网 掺入适当杂质形成N 型和P 型半导体。 硅单晶的制备方法主要有直拉法(Czochralski,CZ)和悬浮区熔法(Float-Zone, FZ),获得的单晶硅分别称为直拉单晶硅和区熔单晶硅。直拉法适用于生产中低阻 无位错的硅单晶硅,主要用于制作

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  FZ

硅单晶的制备方法主要有直拉法(Czochralski,CZ)和悬浮区熔法(Float-Zone, FZ),获得的单晶硅分别称为直拉单晶硅和区熔单晶硅。

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短语

一种是悬浮区熔法 Float Zone method ; FZ

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新汉英大辞典

悬浮区熔法 [xuán fú qū róng fǎ]

  • floating zone method
以上来源于:《新汉英大辞典》

百科

悬浮区熔法

是在20世纪50年代提出并很快被应用到晶体制备技术中。在悬浮区熔法中,使圆柱形硅棒固定于垂直方向,用高频感应线圈在氩气气氛中加热,使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴,这两个棒朝相反方向旋转。然后将在多晶棒与籽晶间只靠表面张力形成的熔区沿棒长逐步向上移动,将其转换成单晶。

详细内容

以上来源于: 百度百科
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