退火：往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。
快速加热退火制作工艺 rapid thermal annealing process ; RTAPROCESS
结果表明：层层快速退火工艺，可有效抑制焦绿石相的形成。
The results indicate that the pyrochlore phase is restrained successfully by the layer-by-layer rapid thermal annealing method.
实验结果表明，逐层快速退火工艺可有效抑制焦绿石相的形成；
The results indicate that the pyrochlore phase was restrained successfully by layer-by-layer rapid thermal annealing method.
本文介绍了几种快速球化退火工艺及其原理和应用。
This paper introduces various kinds of fast spheroidizing annealing processes, their principles and their applications.
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