...结构的多种新型固态功率器件相继出现,如高电子迁移管(HEMT),以及赝 晶高电子迁移率晶体管(PHEMT),异质结场效应管(HFET),同时使用了多种新材 料如InP、SiC、SiGe及(3aN等,这些器件具有更高的工作频率和功率输出能力。
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异质结构场效应晶体管 HFET
异质结场效应管
Heterojunction field-effect transistor
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