此外，处理器采用的新型增强型应变硅技术（Strained Silicon）也为降低漏电流贡献了不小的力量。理论上讲如果能迫使硅原子的间距加大，就可减小电子通行所受到的阻碍，也就相当于减小了电阻。
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...特尔的九十纳米通讯制造工艺与英特尔九十纳米逻辑制造工艺的基础技术基本相同，包括使用应变硅技术(strained silicon technology)的高性能、低功耗数字CMOS晶体管，带有新型低温(low-K)电介质的七层铜互连层以及一平方微米的SRAM单元。
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第四代应变硅技术 Fourth-generation Strained Silicon
使用改进型应变硅技术 The second generation Strained Silicon
增强型应变硅技术 Enhanced Strained Silicon
这款产品将使用Intel第三代HKMG工艺，第五代硅应变技术，另外与32nm类似，22nm制程仍将继续使用193nm液浸式光刻技术。
It will also use copper interconnects, low-k, strain silicon and other features. Like 32-nm, Intel will make use of 193-nm immersion lithography.
该技术将基于一个具有增强的高- k金属闸（HKMG平面工艺），新型应变硅，低电阻铜超低K互连。
The technology will be based on a planar process with enhanced high-K metal gate (HKMG), novel strained silicon, and low-resistance copper ultra-low-K interconnects.
现代先进的外延技术使应变层锗硅材料的应用成为可能。
Modern advanced epitaxial growth technology has made the widely application of SiGe strained layer materials possible.
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