... bottom of conduction band 导带底 conduction band edge 导带边缘 empty conduction band 好位于价带之上的空导带 ; 刚佳位于价带之上的空导带 ...
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...巴 半导体光催化反应机理 一般而言，价带顶（VBT，valence band top）越正氧化能力越强，导带底（CBB，conduction band bottom）越负还原能力越强。价带或导带的离域性越好，光生电子或空穴的迁移能力越强，越有利于发生氧化还原反应。
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The properties of n-type calculation results indicate that there are lots of free electrons provided by the impurity atoms in the bottom of conduction band and the conductivity of SrTiO_3 is well improved.
模拟显示Sb、Nb、La掺杂的n型SrTiO_3在导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子—电子，明显提高了电导率，改善了SrTiO_3的导电性能。
参考来源 - 基于密度泛函理论的钛酸锶电子结构及属性研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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