利用改进的化 学气相沉积法（modified chemical vapor deposition， MCVD）和高温气相掺杂工艺制作出了这种新型折射率 分布的掺镱双包层光纤，光纤纤芯直径30t上m，包层直径 1...
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而关于采用化 学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD), 以 ZnNO 3 作为N源进行p型掺杂还未见报道.
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1986年，Xga教授的研究小组用金 属有机物化学气相沉积法（MetalOrganic Chemical VaporDeposition，MOCVD）， 做出了阈值电流6mA的CraAs激光器。
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...学分子，此气体分子再经由 热分解而在基板㆖沉积出薄膜，如有机金属化 学气相沉积法（metal organic chemical vapor deposition, MOCVD）等。
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化学气相沉积法 CVD ; Chemical Vapor Deposition ; chemical vaporous depositon ; MPCVD
热丝化学气相沉积法 HFCVD ; HWCVD ; HFCVD or HWCVD ; Hot filament chemical vapor deposition
低压化学气相沉积法 LPCVD ; Low Pressure CVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition
常压化学气相沉积法 APCVD ; Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition
改进的化学气相沉积法 MCVD
热化学气相沉积法 Thermal CVD ; thermal chemical vapor deposition ; HCVD ; TCVD
高温化学气相沉积法 HTCVD
丝化学气相沉积法 HFCVD ; Hot filament chemical vapor deposition ; Hot Wire Chemical Vapor Deposition
催化化学气相沉积法 ACCVD ; catalytic chemical vapor deposition technique ; CatalyticChemical vapor deposition ; CAT-CVD
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